Активные компоненты

DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret BC8

Артикул
563334-BP
Бренд
DIODES Incorporated
Тип
BC856B-7-F
Прочие характеристики товара
BC856B-7-F


Купить в 1 клик!
Описание товара: DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret BC8 TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): PNP , Collector-Strom I(C): -100 mA , DC Stromverstaerkung (hFE): 125 , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzspannung: -5 V , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzstrom: -2 mA , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-23-3 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , Kollektor Reststrom I(CES): -15 nA , Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -65 V , Leistung (max) P(TOT): 300 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret , Transitfrequenz f(T): 200 MHz , Typ (Hersteller-Typ): BC856A-7-F , VCE Saettigung (max.): -650 mV
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.
Начать чат

Деталь не найдена

Товар не найден в прайс-листах

Запросить предложение

Оставьте заявку и мы свяжемся с Вами
в течении 15 минут