DIODES Incorporated BS870-7-F MOSFET 1 N-Kanal 300

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 50 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-23-3 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , I(d): 250 mA , Leistung (max) P(TOT): 300 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , R(DS)(on): 5 Ω , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 200 mA , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): BS870-7-F , U(DSS): 60 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 3 V