Описание товара: DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret BST
TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): NPN , Collector-Strom I(C): 500 mA , DC Stromverstaerkung (hFE): 40 , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzspannung: 10 V , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzstrom: 20 mA , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-89-3 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , Kollektor Reststrom I(CES): 20 nA , Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 350 V , Leistung (max) P(TOT): 1 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret , Transitfrequenz f(T): 70 MHz , Typ (Hersteller-Typ): BST39TA , VCE Saettigung (max.): 500 mV
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.