Активные компоненты

DIODES Incorporated Transistor (BJT) - Arrays DMMT

Артикул
563373-BP
Бренд
DIODES Incorporated
Тип
DMMT5551-7-F
Прочие характеристики товара
DMMT5551-7-F


Купить в 1 клик!
Описание товара: DIODES Incorporated Transistor (BJT) - Arrays DMMT TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanaele: 2 , Ausfuehrung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar , Collector-Strom I(C): 200 mA , DC Stromverstaerkung (hFE): 80 , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzspannung: 5 V , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzstrom: 10 mA , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-26 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , Kollektor Reststrom I(CES): 50 nA , Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 160 V , Leistung (max) P(TOT): 300 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: Transistor (BJT) - Arrays , Transitfrequenz f(T): 300 MHz , Typ (Hersteller-Typ): DMMT5551-7-F , VCE Saettigung (max.): 200 mV
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.
Начать чат

Деталь не найдена

Товар не найден в прайс-листах

Запросить предложение

Оставьте заявку и мы свяжемся с Вами
в течении 15 минут