MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C , C(ISS): 150 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 16 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-23-3 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , I(d): 630 mA , Leistung (max) P(TOT): 350 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , R(DS)(on): 550 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 540 mA , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): DMN2004K-7 , U(DSS): 20 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1 V
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.
Русский
English
