MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 40 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-23-3 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , I(d): 100 mA , Leistung (max) P(TOT): 330 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , R(DS)(on): 10 Ω , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 500 mA , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): ZVN3310FTA , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA , U(GS)(th) max.: 2.4 V
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.