DIODES Incorporated ZVN4310A MOSFET 1 N-Kanal 850

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 350 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-92-3 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , I(d): 900 mA , Leistung (max) P(TOT): 850 mW , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , R(DS)(on): 500 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 3 A , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): ZVN4310A , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA , U(GS)(th) max.: 3 V