DIODES Incorporated ZVP2110A MOSFET 1 P-Kanal 700

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 100 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-92-3 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , I(d): 230 mA , Leistung (max) P(TOT): 700 mW , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , R(DS)(on): 8 Ω , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 375 mA , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): ZVP2110A , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA , U(GS)(th) max.: 3.5 V