MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 1022 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 15 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOIC-8 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , I(d): 5.6 A , Leistung (max) P(TOT): 1.9 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 29.6 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 40 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.2 A , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): ZXMP3A16N8TA , U(DSS): 30 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1 V
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.