DIODES Incorporated ZXMP6A17E6TA MOSFET 1 P-Kanal

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 637 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 30 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-23-6 , Hersteller: DIODES Incorporated , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): DIn , I(d): 2.3 A , Leistung (max) P(TOT): 1.1 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 17.7 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 125 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.3 A , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): ZXMP6A17E6TA , U(DSS): 60 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1 V