- Артикул
- 153163-BP
- Бренд
- Infineon Technologies
- Тип
- BSP135H6327
- Прочие характеристики товара
- BSP135H6327
Купить в 1 клик!
Kleinsignal-TransistorTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 146 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-261-4 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 120 mA , Leistung (max) P(TOT): 1.8 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 4.9 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 5 V , R(DS)(on): 45 Ω , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 120 mA , Serie (Halbleiter): SIPMOS® , Transistor-Merkmal: Deleption Mode , Typ (Hersteller-Typ): BSP135H6327 , U(DSS): 600 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 94 µA , U(GS)(th) max.: 1 V
Ваши персональные цены доступны после
авторизации в карточке товара и на странице поиска
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.
Начать чат
Деталь не найдена
Товар не найден в прайс-листах