Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-Kanal 1.8

Kleinsignal-TransistorTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 430 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-261-4 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 660 mA , Leistung (max) P(TOT): 1.8 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 14 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 5 V , R(DS)(on): 1.8 Ω , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 660 mA , Serie (Halbleiter): SIPMOS® , Transistor-Merkmal: Deleption Mode , Typ (Hersteller-Typ): BSP149 , U(DSS): 200 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 400 µA , U(GS)(th) max.: 1 V