Описание товара: Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret B
PNP-TransistorPNP-Transistor (12 mm-Gurt).Technische Daten: Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): PNP , Collector-Strom I(C): -1 A , DC Stromverstaerkung (hFE): 100 , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzspannung: -2 V , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzstrom: -150 mA , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-89 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA , Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -60 V , Leistung (max) P(TOT): 2 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret , Transitfrequenz f(T): 125 MHz , Typ (Hersteller-Typ): BCX52-16 , VCE Saettigung (max.): -500 mV
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.