Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret,

NF-TransistorPNP-Digital-Transistor.Technische Daten: Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): PNP - vorgespannt , Collector-Strom I(C): -100 mA , DC Stromverstaerkung (hFE): 70 , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzspannung: -5 V , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzstrom: -5 mA , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-236-3 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA , Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -50 V , Leistung (max) P(TOT): 200 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Transistor-Typ (Kategorisierung): Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung , Transitfrequenz f(T): 200 MHz , Typ (Hersteller-Typ): BCR185 , VCE Saettigung (max.): -300 mV , Verpackungsart (Bauteile): Tape cut, re-reeling option , Widerstand R(1): 10 kΩ , Widerstand R(2): 47 kΩ