Infineon Technologies BSP296 MOSFET 1 N-Kanal 1.8

Kleinsignal-TransistorTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 152.7 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-261-4 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 1.2 A , Leistung (max) P(TOT): 1.8 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 6.7 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 600 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 1.2 A , Serie (Halbleiter): OptiMOS™ , Transistor-Merkmal: Logic Level Gate , Typ (Hersteller-Typ): BSP296 , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 100 µA , U(GS)(th) max.: 1.8 V