Infineon Technologies BUZ30A MOSFET 1 N-Kanal 125

LeistungstransistorEin MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher fuer den Einsatz als Schalter oder Analogverstaerker.Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 1900 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-220-3 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 21 A , Leistung (max) P(TOT): 125 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , R(DS)(on): 130 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 13.5 A , Serie (Halbleiter): SIPMOS® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): BUZ30A , U(DSS): 200 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA , U(GS)(th) max.: 4 V