- Артикул
- 160940-BP
- Бренд
- Infineon Technologies
- Тип
- IRFB4227PBF
- Прочие характеристики товара
- IRFB4227PBF
Купить в 1 клик!
Transistor unipolar (MOSFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -40 °C , C(ISS): 4600 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-220AB , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 65 A , Leistung (max) P(TOT): 330 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 98 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 24 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 46 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRFB4227PBF , U(DSS): 200 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 5 V
Ваши персональные цены доступны после
авторизации в карточке товара и на странице поиска
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.
Начать чат
Деталь не найдена
Товар не найден в прайс-листах