Infineon Technologies IRFH5206TR2PBF MOSFET 1 N-Ka

Transistor unipolar (MOSFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 2490 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): PQFN 5x6 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 16 A,89 A , Leistung (max) P(TOT): 3.6 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 60 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 6.7 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 50 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRFH5206TR2PBF , U(DSS): 60 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 100 µA , U(GS)(th) max.: 4 V