Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF MOSFET 1 N-Ka

Transistor unipolar (MOSFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 1050 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): PQFN 3.3x3.3 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 14 A,40 A , Leistung (max) P(TOT): 2.5 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 16 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 7.8 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 12 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRFHM831TR2PBF , U(DSS): 30 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 25 µA , U(GS)(th) max.: 2.35 V