Infineon Technologies IRFS4115PBF MOSFET 1 N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 150 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 5270 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 50 V , Gehaeuseart (Halbleiter): D2PAK , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 195 A , Leistung (max) P(TOT): 375 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 120 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 12.1 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 62 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRFS4115PBF , U(DSS): 150 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 5 V