Infineon Technologies IRLR3114ZPBF MOSFET 1 N-Kana

Transistor unipolar (MOSFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 40 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 3810 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): DPAK , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 42 A , Leistung (max) P(TOT): 140 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 56 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on): 4.9 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 42 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Logic Level Gate , Typ (Hersteller-Typ): IRLR3114ZPBF , U(DSS): 40 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 100 µA , U(GS)(th) max.: 2.5 V