Infineon Technologies IRF7309 MOSFET 1 N-Kanal, P-

MOSFET (HEXFET/FETKY)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal,P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 520 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 15 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOIC-8 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 4 A,3 A , Leistung (max) P(TOT): 1.4 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 25 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on): 50 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.4 A , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRF7309 , U(DSS): 30 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1 V