Infineon Technologies IRF7403 MOSFET 1 N-Kanal 2.5

MOSFET (HEXFET/FETKY)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 1200 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOIC-8 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 8.5 A , Leistung (max) P(TOT): 2.5 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 57 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 22 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 4 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRF7403 , U(DSS): 30 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1 V