Infineon Technologies IRFD9120PBF MOSFET 1 P-Kanal

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 390 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): HEXDIP , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 1 A , Leistung (max) P(TOT): 1.3 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 18 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 600 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 600 mA , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRFD9120PBF , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 4 V