Infineon Technologies IRL3103PBF MOSFET 1 HEXFET 9

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): HEXFET , Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 1650 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-220 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 64 A , Leistung (max) P(TOT): 94 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 33 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on): 12 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 34 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRL3103PBF , U(DSS): 30 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1 V