Infineon Technologies IRLR120N MOSFET 1 N-Kanal 48

HEXFET/FETKYTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 440 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-263-3 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 10 A , Leistung (max) P(TOT): 48 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 20 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 5 V , R(DS)(on): 185 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 6 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRLR120N , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 2 V