Infineon Technologies IRG4BC20F IGBT TO-220AB Einz

IGBT - Insulated Gate Bipolar TransistorTechnische Daten: Ausschaltverzoegerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns , Collector-Strom I(C): 16 A , Eingangskapazitaet: 540 pF , Eingangstyp: Standard , Einschaltverzoegerungszeit t(d)(on): 24 ns , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-220AB , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(CM): 64 A , Kollektor Reststrom I(CES): 250 ВµA , Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 600 V , Konfiguration (Transistoren): Einzeln , Leistung (max) P(TOT): 60 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: IGBT , Q(G): 27 nC , Typ (Hersteller-Typ): IRG4BC20F , VCE Saettigung (max.): 2 V