Infineon Technologies IRF7342PBF MOSFET 2 P-Kanal

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V , Anzahl Kanaele: 2 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 690 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOIC-8 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 3.4 A , Leistung (max) P(TOT): 2 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 38 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 105 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 3.4 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Logic Level Gate , Typ (Hersteller-Typ): IRF7342PBF , U(DSS): 55 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1 V