Infineon Technologies IRFH9310TRPBF MOSFET 1 P-Kan

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 5250 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 15 V , Gehaeuseart (Halbleiter): VDFN-8 , Hersteller: Infineon Technologies , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): INF , I(d): 21 A,40 A , Leistung (max) P(TOT): 3.1 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 58 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on): 4.6 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 21 A , Serie (Halbleiter): HEXFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRFH9310TRPBF , U(DSS): 30 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 100 µA , U(GS)(th) max.: 2.4 V