- Артикул
- 160791-BP
- Бренд
- IXYS
- Тип
- IXFH20N100P
- Прочие характеристики товара
- IXFH20N100P
Купить в 1 клик!
Transistor unipolar (MOSFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 1000 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 7300 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-247AD , Hersteller: IXYS , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): IXY , I(d): 20 A , Leistung (max) P(TOT): 660 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 126 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 570 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 10 A , Serie (Halbleiter): HiPerFET™,PolarP2™ , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IXFH20N100P , U(DSS): 1000 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA , U(GS)(th) max.: 6.5 V
Ваши персональные цены доступны после
авторизации в карточке товара и на странице поиска
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.
Начать чат
Деталь не найдена
Товар не найден в прайс-листах