IXYS IXTK170P10P MOSFET 1 P-Kanal 890 W TO-264

Transistor unipolar (MOSFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 12600 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-264 , Hersteller: IXYS , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): IXY , I(d): 170 A , Leistung (max) P(TOT): 890 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 240 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 12 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 500 mA , Serie (Halbleiter): PolarP™ , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IXTK170P10P , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA , U(GS)(th) max.: 4 V