IXYS IXFQ50N60P3 MOSFET 1 N-Kanal 1040 W TO-3P

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 6300 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-3P , Hersteller: IXYS , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): IXY , I(d): 50 A , Leistung (max) P(TOT): 1040 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 94 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 145 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 500 mA , Serie (Halbleiter): HiPerFET™,Polar3™ , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IXFQ50N60P3 , U(DSS): 600 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 4 mA , U(GS)(th) max.: 5 V