Описание товара: ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC636T
Bipolar-Standard-LeistungstransistorTechnische Daten: Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): PNP , Collector-Strom I(C): -1 A , DC Stromverstaerkung (hFE): 40 , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzspannung: -2 V , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzstrom: -150 mA , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-92 , Hersteller: ON Semiconductor , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): OnS , Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA , Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -45 V , Leistung (max) P(TOT): 1 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret , Transitfrequenz f(T): 100 MHz , Typ (Hersteller-Typ): BC636TA , VCE Saettigung (max.): -500 mV
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.