ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD681S

TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): NPN - Darlington , Collector-Strom I(C): 4 A , DC Stromverstaerkung (hFE): 750 , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzspannung: 3 V , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzstrom: 1.5 A , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-126 , Hersteller: ON Semiconductor , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): OnS , Kollektor Reststrom I(CES): 500 ВµA , Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V , Leistung (max) P(TOT): 40 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret , Typ (Hersteller-Typ): BD681S , VCE Saettigung (max.): 2.5 V