ON Semiconductor FQPF33N10L MOSFET 1 N-Kanal 41 W

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 1630 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-220F , Hersteller: ON Semiconductor , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): OnS , I(d): 18 A , Leistung (max) P(TOT): 41 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 40 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 5 V , R(DS)(on): 52 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 9 A , Serie (Halbleiter): QFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): FQPF33N10L , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 2 V