STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C , C(ISS): 700 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-220AB , Hersteller: STMicroelectronics , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): STM , I(d): 9 A , Leistung (max) P(TOT): 75 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 45 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 400 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.5 A , Serie (Halbleiter): MESH OVERLAY™ II , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRF630 , U(DSS): 200 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 4 V