STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJD1

TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): NPN - Darlington , Collector-Strom I(C): 8 A , DC Stromverstaerkung (hFE): 1000 , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzspannung: 4 V , DC Stromverstaerkung hFE - Referenzstrom: 4 A , Gehaeuseart (Halbleiter): D-PAK , Hersteller: STMicroelectronics , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): STM , Kollektor Reststrom I(CES): 10 ВµA , Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V , Leistung (max) P(TOT): 20 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret , Typ (Hersteller-Typ): MJD122T4 , VCE Saettigung (max.): 4 V