STMicroelectronics STF10N60M2 MOSFET 1 N-Kanal 25

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 400 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 100 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-220-3 , Hersteller: STMicroelectronics , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): STM , I(d): 7.5 A , Leistung (max) P(TOT): 25 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 13.5 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 600 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 4 A , Serie (Halbleiter): MDmesh™ II Plus , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): STF10N60M2 , U(DSS): 600 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 4 V