MOSFET (HEXFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 800 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 1300 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-220 , Hersteller: Vishay , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): VIS , I(d): 4.1 A , Leistung (max) P(TOT): 125 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 78 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 3 Ω , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.5 A , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRFBE30PBF , U(DSS): 800 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 4 V
Ваши персональные цены доступны после авторизации в карточке товара и на странице поиска
Александр
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.
Русский
English
