Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4

MOSFET (HEXFET)Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 180 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): DIP-4 , Hersteller: Vishay , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): VIS , I(d): 1 A , Leistung (max) P(TOT): 1.3 W , Montageart: Durchfuehrungsloch , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 8.3 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 540 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 600 mA , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRFD110PBF , U(DSS): 100 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 4 V