Vishay IRF830ASPBF MOSFET 1 N-Kanal 3.1 W TO-263-3

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 500 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 620 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V , Gehaeuseart (Halbleiter): TO-263-3 , Hersteller: Vishay , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): VIS , I(d): 5 A , Leistung (max) P(TOT): 3.1 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 24 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 1.4 Ω , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 3 A , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): IRF830ASPBF , U(DSS): 500 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 4.5 V