Vishay SI2312BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 750 mW SO

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-23-3 , Hersteller: Vishay , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): VIS , I(d): 3.9 A , Leistung (max) P(TOT): 750 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 12 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on): 31 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 5 A , Serie (Halbleiter): TrenchFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): SI2312BDS-T1-GE3 , U(DSS): 20 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 0.85 V