- Артикул
- 597311-BP
- Бренд
- Vishay
- Тип
- SI2333DS-T1-E3
- Прочие характеристики товара
- SI2333DS-T1-E3
Купить в 1 клик!
MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 12 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 1100 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 6 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOT-23-3 , Hersteller: Vishay , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): VIS , I(d): 4.1 A , Leistung (max) P(TOT): 750 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 18 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on): 32 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 5.3 A , Serie (Halbleiter): TrenchFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): SI2333DS-T1-E3 , U(DSS): 12 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1 V
Ваши персональные цены доступны после
авторизации в карточке товара и на странице поиска
Привет! Я Александр, занимаюсь снабжением заводов 12 лет.
Готов помочь с выбором оборудования и запчастей для вашего
производства по лучшей цене. Это бесплатно.
Начать чат
Деталь не найдена
Товар не найден в прайс-листах