Vishay SI4425BDY-T1-E3 MOSFET 1 P-Kanal 1.5 W SOIC

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , Gehaeuseart (Halbleiter): SOIC-8 , Hersteller: Vishay , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): VIS , I(d): 8.8 A , Leistung (max) P(TOT): 1.5 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 100 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 12 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 11.4 A , Serie (Halbleiter): TrenchFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): SI4425BDY-T1-E3 , U(DSS): 30 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 3 V