Vishay SI4900DY-T1-E3 MOSFET 2 N-Kanal 3.1 W SOIC-

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V , Anzahl Kanaele: 2 , Ausfuehrung (Transistoren): N-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 665 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 15 V , Gehaeuseart (Halbleiter): SOIC-8 , Hersteller: Vishay , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): VIS , I(d): 5.3 A , Leistung (max) P(TOT): 3.1 W , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 20 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 58 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.3 A , Serie (Halbleiter): TrenchFET® , Transistor-Merkmal: Logic Level Gate , Typ (Hersteller-Typ): SI4900DY-T1-E3 , U(DSS): 60 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 3 V