Vishay SI8489EDB-T2-E1 MOSFET 1 P-Kanal 780 mW MIC

MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V , Anzahl Kanaele: 1 , Ausfuehrung (Transistoren): P-Kanal , Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C , Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C , C(ISS): 765 pF , C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V , Gehaeuseart (Halbleiter): MICROFOOT-4 , Hersteller: Vishay , Hersteller-Kuerzel (Bauelemente): VIS , Leistung (max) P(TOT): 780 mW , Montageart: Oberflaechenmontage , Produkt-Art: MOSFET , Q(G): 27 nC , Q(G) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on): 44 mΩ , R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V , R(DS)(on) Referenz-Strom: 1.5 A , Serie (Halbleiter): TrenchFET® , Transistor-Merkmal: Standard , Typ (Hersteller-Typ): SI8489EDB-T2-E1 , U(DSS): 20 V , U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA , U(GS)(th) max.: 1.2 V